相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。

根據(jù)規(guī)范，HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C將針腳帶寬提高到3.2Gbps，之前的兩版HBMe分別是2Gbps、2.4Gbps速率，相比之下HBM2e速率提升25%到60%。

此外，HBM2e的單Die最大2GB、單堆棧12 Die(無標(biāo)準(zhǔn)高度限制)，也就是24GB容量，匹配1024bit位寬，單堆棧理論最大帶寬410GB/s。

對于支持四堆棧(4096bit)的圖形芯片來說，總帶寬高達1.64TB/s，容量可達96GB。

功耗方面，HBM2e的電壓和上一版一致，為1.2V，比第一代的1.35V有所下降。

HBM2e標(biāo)準(zhǔn)最早是三星及SK海力士提出的，現(xiàn)在成了國際標(biāo)準(zhǔn)，這兩家也是最早推出產(chǎn)品的，而美光身為第三大內(nèi)存芯片廠商，一直沒有推出HBM顯存，以致于業(yè)界都在懷疑美光是不是放棄了HBM顯存。

在日前的財報會議上，美光否認(rèn)放棄HBM競爭，表示他們不會退出HBM市場，今年底之前會推出相關(guān)的HBM顯存。

美光沒具體明確是哪種HBM顯存，不過年底推產(chǎn)品的話，HBM2e應(yīng)該是最合理的，這時候再推此前的HBM或者HBM2就有些不夠看了。

HBM顯存從2015年的AMD Fury系列顯卡上首發(fā)，5年了都沒普及，主要原因還是成本太高，這就跟廠商的產(chǎn)量太少有關(guān)，如今三大廠商都投入資源量產(chǎn)HBM顯存，希望盡早看到HBM顯存廉價化。

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