據央視報道，我國中科院院士王陽元曾和同事鉆研 8 年從此換來中國集成電路的突破，后又帶領上百名專家一舉打破西方封鎖(1975 年中國成為繼美日之后的第三個擁有 1024bit MOS 動態存儲器的國家)。
沒有設備和技術，就靠實踐學習，每個人都為這個奉獻力量;人等片子，芯片到人到，不管幾點，立刻開工沒有任何怨言。
正如 86 歲的他用一生踐行在入黨申請書寫下的初心：“人活著，應當使人民感到有益!”。談及此事，他還喊出了“生逢盛世，肩負重任，我沒有虛度年華”“科學無國界，但科學家有祖國”的偉大口號。
IT之家了解到，王陽元生于 1935 年 1 月 1 日的浙江寧波，是我國微納電子科學家、教育家，中國科學院院士，北京大學教授、博士生導師，北京大學微電子學研究院院長，北京大學微電子學系主任。
他于 1958 年從北京大學物理系畢業，1986 年擔任北京大學微電子學研究所所長，1995 年當選為中國科學院院士，成功主持并參與研究了硅柵 N 溝道技術和中國第一塊 1024 位 MOS DRAM(MOS：金屬氧化物半導體)的研發，推動 MOS 集成電路技術的發展。
此外，他還在國際上提出了多晶硅薄膜氧化動力學新模型和應用方程以及與同事合作提出了 MOS 絕緣層中可動離子和電荷陷阱新的測量方法，率先開發成功多晶硅發射極超高速集成電路技術，推動中國雙極集成電路技術發展。
他還創建了 SOI(絕緣襯底上的硅 Silicon-On-Insulator)新器件研究室等機構，主持建設了中國第一個國家級微米/納米加工技術重點實驗室。在 SOI 新器件與電路和 MEMS 系統等領域均有重大建樹。(作者 問舟)
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